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CRF plasma 等離子清洗機

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等離子體刻蝕機技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

       隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,由于其固有的局限性,濕法刻蝕逐漸限制了其發(fā)展,因為它已不能滿足具有微米甚至納米級細線的超大規(guī)模集成電路的加工要求。晶片等離子體刻蝕機的干法刻蝕方法因其離子密度高、刻蝕均勻、表面光潔度高等優(yōu)點,在半導(dǎo)體加工技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用。

等離子體刻蝕機

        等離子體刻蝕機是一種多功能等離子表面處理設(shè)備,可配備不同的部件,如表面鍍涂、蝕刻、等離子化學(xué)反應(yīng)、粉末等離子處理等。等離子體刻蝕機對晶片的蝕刻效果好。通過配置蝕刻部件,等離子清洗機可以實現(xiàn)蝕刻功能,性價比高,操作簡單,從而實現(xiàn)多功能。
       半導(dǎo)體的通過等離子體刻蝕機工藝將圖案復(fù)制到多晶硅等質(zhì)地的基底薄膜上,從而形成晶體管門電路,同時用鋁或銅實現(xiàn)元器件之間的互連,或用SiO2來阻斷互連路徑。刻蝕的作用在于將印刷圖案以極高的準確性轉(zhuǎn)移到基底上,因此刻蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜,基底的刻蝕要求具備高度選擇性。否則,不同導(dǎo)電金屬層之間就會出現(xiàn)短路。另外,刻蝕工藝還應(yīng)具有各向異性,那樣可保證將印刷圖案精確復(fù)制到基底上。等離子清洗機是一種利用低溫等離子體的特性對被處理材料進行等離子體刻蝕機。
         一般等離子體刻蝕機處理后,材料的表面張力、潤濕性、親水性都會發(fā)生變化,達因值也會發(fā)生變化。等離子清洗機處理后,材料的表面張力和表面能得到提高,為材料的后續(xù)加工和應(yīng)用提供了可能。


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