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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

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CRF電暈等離子處理機(jī)應(yīng)用下二氧化碳增添量對(duì)c2h2脫氫反應(yīng)的影響

CRF電暈等離子處理機(jī)應(yīng)用下二氧化碳增添量對(duì)c2h2脫氫反應(yīng)的影響:
      在CRF電暈等離子處理機(jī)能量密度為800kJ/mol標(biāo)準(zhǔn)下,二氧化碳增添量對(duì)c2h2脫氫反應(yīng)的影響:與等離子體標(biāo)準(zhǔn)下的純c2h2脫氫相比,隨著體系中二氧化碳增添量的增加,c2h2轉(zhuǎn)化率增加。
這是由于在CRF電暈等離子處理機(jī)標(biāo)準(zhǔn)下二氧化碳可與等離子體產(chǎn)生的高能電子作用發(fā)生裂解反應(yīng):二氧化碳+e*→CO+O,生成活性氧物種。二氧化碳濃度越高,體系中活性氧物種數(shù)量越多,在活性氧物種作用下c2h2的C-H鍵及C-C鍵斷裂更加容易。因此,c2h2轉(zhuǎn)化率隨著二氧化碳濃度的增加而增加。

電暈等離子處理機(jī)

       C2H2、C2H4收率隨著二氧化碳加入量的增加呈峰形變化,二氧化碳濃度低促進(jìn)C2H2、C2H4生成,二氧化碳濃度高則導(dǎo)致活性氧物種數(shù)量增多,促使c2h2的C-H鍵及C-C鍵徹底斷裂,C自由基與活性氧物種生成CO。
       這說(shuō)明CRF電暈等離子處理機(jī)在c2h2氧化脫氫反應(yīng)中,二氧化碳在體系中的濃度是一個(gè)重要參數(shù)。二氧化碳濃度過(guò)低,則c2h2轉(zhuǎn)化率低,且易生成高碳烴物質(zhì);二氧化碳濃度過(guò)高,則c2h2發(fā)生氧化反應(yīng),從而導(dǎo)致C2H4和C2H2選擇性降低。因此,二氧化碳加入量在50%左右為好。

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